Instituição: INESC Microsistemas e Nanotecnologias
Localização: LISBOA , LOURES
Anos: 12º
Área: Eletrónica, Física, Informática
Ação gratuita
Descrição: Este estágio introduz os alunos ao mundo da ciência dos materiais e dos semicondutores, fundamentais em tecnologias como LEDs e dispositivos eletrónicos.
Ao longo da semana, os participantes terão contacto com técnicas experimentais usadas em investigação, como difração de raios-X (XRD) e métodos de análise de composição (RBS e PIXE), aplicadas a materiais como silício, ligas de germânio-estanho e óxidos semicondutores. Os alunos irão explorar como a estrutura dos materiais influencia as suas propriedades, incluindo a emissão de luz em heteroestruturas. Terão também uma introdução à análise de dados com Python, aprendendo a visualizar resultados experimentais. O estágio termina com a apresentação dos trabalhos desenvolvidos, promovendo competências de comunicação e trabalho em equipa. Não são necessários conhecimentos prévios.
Observações: O estágio tem como objetivo proporcionar a alunos do 12.º ano uma introdução à ciência dos materiais e aos semicondutores, através do contacto com técnicas de investigação científica. A proposta centra-se na relação entre estrutura, composição e propriedades dos materiais, com enfoque em aplicações como dispositivos optoelectrónicos.
Inclui atividades experimentais com técnicas de caracterização, como difração de raios-X (XRD) e análise composicional (RBS e PIXE), aplicadas ao estudo de filmes finos e materiais semicondutores (silício, GeSn e óxidos como Ga₂O₃). Aborda ainda heteroestruturas InGaN/GaN, eletroluminescência e LEDs, bem como noções de análise de dados em Python. O estágio culmina com apresentação de resultados, promovendo comunicação científica, pensamento crítico e trabalho em equipa.
Plano de atividades (5 dias):
Dia 1 – Introdução e conceitos fundamentais; XRD em filmes finos (GeSn e silício).
Dia 2 – Microanálise: RBS e PIXE; composição e interpretação de resultados.
Dia 3 – XRD em diferentes materiais; óxidos (Ga₂O₃) e hiato energético.
Dia 4 – Heteroestruturas InGaN/GaN, eletroluminescência e LEDs; análise de dados em Python.
Dia 5 – Preparação e apresentação de resultados.
Objetivos: introduzir conceitos de ciência dos materiais e semicondutores; contactar com técnicas experimentais; compreender relações estrutura–propriedades; explorar aplicações; desenvolver análise de dados, pensamento crítico e comunicação científica.
Equipa: Victoria Corregidor Berdasco (XRD, RBS/PIXE), Duarte Esteves (materiais semicondutores), Marco Peres (heteroestruturas e eletroluminescência), Ana Sofia Sousa (Python), Sérgio Magalhães (coordenação, XRD e microanálise) e Katharina Lorenz (supervisão científica).
Almoços: Esta ação disponibiliza almoço
Local de encontro: Recepção do Campus Tecnológico e Nuclear - IST
Data:
De 13-07-2026 09:00 a 17-07-2026 17:00 Hora de Encontro: 09:00 Entrada livre | Adicionar ao calendário
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